Nexperia yarimo'tkazgichlar ishlab chiqaruvchisi yaqinda kremniy karbid (SiC) va galliy nitridi (GaN) kabi yangi avlod keng diapazonli yarimo'tkazgich mahsulotlarini (WBGs) ishlab chiqish uchun 200 million dollar (taxminan 184 million evro) sarmoya kiritish va ishlab chiqarish infratuzilmasini o'rnatish rejalarini e'lon qildi. uning Gamburgdagi zavodi. Shu bilan birga, gofret zavodlarida kremniy (Si) diodlar va tranzistorlar ishlab chiqarish quvvati ortadi.
Ma’lum qilinishicha, yuqori samarali quvvatli yarimo‘tkazgichlarga o‘sib borayotgan uzoq muddatli talabni qondirish maqsadida Ansei Semiconductor kompaniyasi 2024-yil iyun oyidan boshlab Germaniyada SiC, GaN va Si texnologiyalarini tadqiq qilish va ishlab chiqarishni boshlaydi.
Birinchi yuqori kuchlanishli D-Mode GaN tranzistor va SiC diodli ishlab chiqarish liniyasi 2024-yil iyun oyida foydalanishga topshirildi. Keyingi bosqich 200 mm SiC MOSFET va past kuchlanishli GaN HEMT ishlab chiqarish liniyasini tashkil etish bo'ladi. Bu ishlab chiqarish liniyalari yaqin ikki yil ichida Gamburgdagi zavodda qurib bitkaziladi. Shu bilan birga, ushbu sarmoya Gamburg zavodining mavjud infratuzilmasini yanada avtomatlashtirishga yordam beradi va asta-sekin 200 mm gofretlardan foydalanishga o'tish orqali kremniy ishlab chiqarish quvvatini kengaytiradi.
Ansei Semiconductor ta'kidlaganidek, ushbu chora elektrlashtirish va raqamlashtirish sohasidagi asosiy texnologiyalarni kuchli qo'llab-quvvatlashini to'liq namoyish etadi. "SiC va GaN yarimo'tkazgichlari ma'lumotlar markazlari kabi yuqori quvvatli ilovalarning mukammal samaradorlik bilan ishlashiga imkon beradi, shuningdek, qayta tiklanadigan energiya ilovalari va elektr transport vositalarining asosiy komponentlari hisoblanadi. Bu keng tarmoqli texnologiyalar ulkan salohiyatga ega va dekarbonizatsiya maqsadlariga erishish uchun tobora muhim ahamiyat kasb etmoqda. "
Ta'kidlash joizki, ushbu sarmoya Gamburgdagi Ansch Semiconductor's Lockstadt zavodining ko'p asrlik tarixidagi yana bir muhim bosqichdir. Ma'lum qilinishicha, Valvo Radio ö hrenfabrik 1924 yilda tashkil etilganidan beri zavod doimiy ravishda rivojlanib bormoqda va hozirda kichik signalli diodlar va tranzistorlarga bo'lgan global talabning chorak qismini qo'llab-quvvatlaydi.