Silikon fotonikasida katta yutuq! Xitoyda birinchi marta kremniy asosidagi chip ichidagi lazer nuri manbai muvaffaqiyatli yoqildi

Oct 26, 2024 Xabar QOLDIRISH

2024-yil sentabr oyida laboratoriya kremniy asosidagi chipga o‘rnatilgan lazer yorug‘lik manbasini muvaffaqiyatli yoqdi, bu ham Xitoyda ushbu texnologiyaning birinchi muvaffaqiyatli amalga oshirilishidir.

 

Ushbu yutuq Jiufengshan laboratoriyasi tomonidan ishlab chiqilgan heterojen integratsiya texnologiyasidan foydalanadi va murakkab jarayondan so'ng 8- dyuymli SOI gofreti ichida indiy fosfid lazerining jarayon integratsiyasini yakunlaydi.

 

Ushbu texnologiya sanoatda "yorug'likdan tashqari chip" deb nomlanadi, u uzatish uchun elektr signallarini almashtirish uchun yaxshiroq uzatish ko'rsatkichlariga ega optik signallardan foydalanadi, bu chiplar o'rtasida signal ma'lumotlarini uzatishni buzishning muhim vositasidir va asosiy maqsad: joriy chiplararo elektr signali jismoniy chegaraga yaqin bo'lgan muammoni hal qilish.

 

U ma'lumotlar markazlari, hisoblash markazlari, CPU/GPU chiplari, AI chiplari va boshqa sohalarni targ'ib qilishda inqilobiy rol o'ynaydi.

 

Kremniy asosidagi optoelektron integratsiyaga asoslangan chipdagi optik o'zaro ulanishlar, Mur davridan keyingi davrda integral mikrosxemalar texnologiyasini ishlab chiqishda quvvat sarfi, tarmoqli kengligi va kechikish kabi qiyinchiliklarni engib o'tish uchun ideal echim hisoblanadi.

 

Hozirgi vaqtda kremniy fotonikining to'liq integratsiyalashgan platformasini ishlab chiqish uchun eng qiyin vazifa kremniy fotonik chiplarining "yuragi" ni, ya'ni kremniy substratdagi yorug'lik manbasini ishlab chiqish va integratsiyalashda, u yuqori samaradorlik bilan yorug'lik chiqaradi. . Ushbu texnologiya Xitoyda optoelektronika sohasidagi bir nechta bo'sh havolalardan biridir.

 

Jiufengshan laboratoriyasining kremniy fotonikasi jarayoni jamoasi 8-dyuymli kremniy fotonika plastinalarida, heterojen bog‘langan III-V lazer materialining epitaksial donalarida asosiy muammolarni hal qilish uchun hamkorlar bilan hamkorlik qildi va so‘ngra CMOS-mos keladigan qurilma-chipda ishlab chiqarish jarayonini amalga oshirdi. , bu III-V material strukturasini loyihalash va o'stirish, past material-gofret bog'lash rentabelligi va heterojen integratsiyalangan gofretni chipdagi naqsh va etching nazorati bilan bog'liq qiyinchiliklarni muvaffaqiyatli hal qildi. Taxminan o'n yil davomida asosiy muammolarni hal qilish va hal qilishdan so'ng, biz nihoyat lazerni porlashda yoritishga muvaffaq bo'ldik va "chip nuri" ni angladik.

news-220-140